Textul licitației

ża, systemu kontroli dostarczania materiałów źródłowych, który obejmuje 8 linii substancji metaloorganicznych (MO) (co najmniej 6 linii), 2 systemów linii wodorkowych, poziomego reaktora z komorą rękawicową + komorą przelotową, strefowego oporowego systemu grzewczego, systemu pomp próżniowych, pełnego systemu bezpieczeństwa oraz komputerowego systemu do pomiarów i sterowania. Reaktor wymaga zastosowania typu kanału przepływu poziomego, który powinien być zbudowany z trzech części (początkowa, środkowa i końcowa), a część środkowa powinna być wymienna w celu ułatwienia konserwacji. Wtrysk gazu powinien być potrójny, aby kontrolować jednorodną fazę gazową. Wykonawca powinien dostarczyć następujące dane referencyjne: 1. Szybkość wzrostu powyżej 2 µm/h przy jednoczesnej niskiej koncentracji węgla (<10¹⁶ cm⁻³). 2. Aby kontrolować wysoką zawartość Al w zakresie 50 ~ 80%, utrzymywać stały stosunek V/III "powyżej 1400" oraz tempo wzrostu "powyżej 3 µm/h". 3. Warstwa AlN krystalizująca z tempem wzrostu powyżej 15 µm/h. 4. *n-, p-domieszkowane warstwy GaN, AlGaN, InGaN krystalizowane pod ciśnieniem atmosferycznym. ENGLISH VERSION The subject of the order is equipment used for epitaxial growth of GaN-based materials (GaN, AlGaN, InGaN). The Equipment consists of 3x2” wa